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兆易創(chuàng)新推出500W單級(jí)光伏微逆方案,采用雙向BDS GaN

欄目:電源知識(shí) 發(fā)布時(shí)間:2025-10-09

在"雙碳"目標(biāo)推動(dòng)下,分布式光伏因靈活部署優(yōu)勢(shì)成為能源轉(zhuǎn)型的重要載體。作為光伏組件直流轉(zhuǎn)交流的核心設(shè)備,微型逆變器憑借組件級(jí)精準(zhǔn)控制,有效解決傳統(tǒng)組串式方案的失配損耗與安全問題,在戶用及光伏建筑一體化(BIPV)場(chǎng)景中價(jià)值凸顯。

在"雙碳"目標(biāo)推動(dòng)下,分布式光伏因靈活部署優(yōu)勢(shì)成為能源轉(zhuǎn)型的重要載體。作為光伏組件直流轉(zhuǎn)交流的核心設(shè)備,微型逆變器憑借組件級(jí)精準(zhǔn)控制,有效解決傳統(tǒng)組串式方案的失配損耗與安全問題,在戶用及光伏建筑一體化(BIPV)場(chǎng)景中價(jià)值凸顯。隨著行業(yè)對(duì)高集成度、高效率及低成本的需求升級(jí),單級(jí)式架構(gòu)以極簡(jiǎn)設(shè)計(jì)與高效能優(yōu)勢(shì),正引領(lǐng)微型逆變器技術(shù)變革。

兆易創(chuàng)新深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域,根據(jù)光伏行業(yè)熱點(diǎn),推出了基于高性能MCU GD32G553芯片的單級(jí)微型逆變器方案。在2025 SNEC 國(guó)際光伏儲(chǔ)能展覽會(huì)上,兆易創(chuàng)新數(shù)字電源應(yīng)用主管工程師王亞立詳細(xì)解讀該方案,揭示控制芯片與功率器件協(xié)同設(shè)計(jì)如何實(shí)現(xiàn)效率、可靠性與成本的多重突破。

在單級(jí)架構(gòu)上實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新

作為直接集成于單塊或少量光伏組件背部的能量轉(zhuǎn)換裝置,微型逆變器的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)在于其獨(dú)有的組件級(jí)最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)功能。該特性使其能夠在組件間性能差異或局部陰影遮擋場(chǎng)景下,通過獨(dú)立優(yōu)化每塊組件的功率輸出,最大化系統(tǒng)發(fā)電量。目前,在戶用分布式光伏系統(tǒng)、光伏建筑一體化(BIPV)等對(duì)靈活性和安全性要求較高的場(chǎng)景中得到廣泛應(yīng)用。

根據(jù)電路結(jié)構(gòu)的不同,微型逆變器主要分為兩級(jí)式和單級(jí)式兩種架構(gòu)。與傳統(tǒng)兩級(jí)式架構(gòu)相比,單級(jí)式架構(gòu)憑借其更高的能量轉(zhuǎn)換效率、更簡(jiǎn)潔的BOM以及更低的制造成本,成為行業(yè)技術(shù)演進(jìn)的主要方向。兆易創(chuàng)新推出的 500W 單級(jí)微型逆變器解決方案,采用基于GD32G5系列MCU與納微半導(dǎo)體雙向GaNFast氮化鎵功率芯片的單級(jí)一拖一架構(gòu),集中體現(xiàn)了該技術(shù)方向的核心優(yōu)勢(shì)。

王亞立表示,單級(jí)架構(gòu)通過省去一級(jí)直流-直流變換環(huán)節(jié),在簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)效率提升。值得注意的是,該架構(gòu)在實(shí)現(xiàn)微逆核心功能的基礎(chǔ)上,同樣支持無功THD優(yōu)化及一拖n擴(kuò)展等,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景下的技術(shù)需求。

單級(jí)拓?fù)浼軜?gòu)主要由原邊全橋電路、變壓器、副邊半橋電路及 EMI 濾波電路構(gòu)成。通過原邊移相控制,與副邊移相控制的協(xié)同作用,調(diào)節(jié)變壓器漏感兩端的電壓,進(jìn)而控制漏感電流的大小,實(shí)現(xiàn)高效的功率傳輸控制。王亞立指出,為滿足微型逆變器應(yīng)用中的寬電壓增益和功率傳輸比的需求,單一的調(diào)制模式難以兼顧功率傳輸范圍與效率優(yōu)化的雙重目標(biāo)。而混合調(diào)制模式通過軟開關(guān)及功率傳輸?shù)臈l件,動(dòng)態(tài)切換調(diào)制模式,在保證給定功率傳輸目標(biāo)的同時(shí),有效降低回流功率,并拓展軟開關(guān)范圍,從而滿足高效率能量傳輸與高質(zhì)量并網(wǎng)的要求。

在技術(shù)實(shí)現(xiàn)層面,移相控制過程中很容易出現(xiàn)丟波、連波等問題。而兆易創(chuàng)新 GD32G553 MCU憑借高精度及高靈活性的高精度定時(shí)器(HRTIMER)外設(shè),通過載波之間的移相計(jì)數(shù)復(fù)位及同步更新等功能,為上述問題供了完善的解決方案。同時(shí),GD32G553 MCU有著強(qiáng)大的算力,靈活的PWM發(fā)波機(jī)制及豐富的模擬外設(shè)資源,滿足了單級(jí)微逆在發(fā)波、采樣及環(huán)路控制中的嚴(yán)苛需求,確保單級(jí)微逆在復(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)行。

全鏈路控制架構(gòu)與系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化設(shè)計(jì)

▲兆易創(chuàng)新500W單級(jí)微逆控制方案

在系統(tǒng)控制架構(gòu)中,GD32G553 MCU 作為核心控制單元,承擔(dān)PWM生成、信號(hào)采樣及環(huán)路控制等功能。副邊功率轉(zhuǎn)換部分采用了納微雙向 BDS GaN 功率器件。整個(gè)控制環(huán)路如下:首先通過最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)算法計(jì)算出PV電壓參考值,經(jīng)電壓環(huán)控制器實(shí)現(xiàn)對(duì)PV電壓參考值的動(dòng)態(tài)跟蹤;電壓環(huán)計(jì)算得到的結(jié)果,與 SOGI PLL鎖相環(huán)提取到的電網(wǎng)電壓相位信息以及給定無功相角信息相結(jié)合,給前饋控制器及電流環(huán)控制器提供電流參考。最終,計(jì)算出原邊移相控制量與副邊移相控制量,并通過高精度定時(shí)器模塊,轉(zhuǎn)化為實(shí)際驅(qū)動(dòng)脈沖,實(shí)現(xiàn)對(duì)功率電路的精準(zhǔn)調(diào)控。

控制算法在MCU實(shí)現(xiàn)過程中,主要由鎖相環(huán)、前饋補(bǔ)償、閉環(huán)控制及移相轉(zhuǎn)換四部分組成,對(duì)這幾個(gè)部分進(jìn)行了執(zhí)行時(shí)間的測(cè)試,結(jié)果表明GD32G553控制器展現(xiàn)出了良好的算力性能。

▲GD32G553系列MCU與納微雙向 BDS GaN 功率器件性能指標(biāo)

王亞立表示,通過系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化,整個(gè)方案有著高效率、高質(zhì)量并網(wǎng)以及高集成度的特點(diǎn):在100kHz開關(guān)頻率下,實(shí)現(xiàn)了97.5%的峰值效率和97%的CEC加權(quán)效率,MPPT效率為99.9%;500W條件下,THD為3.2%,PF為0.999。

首先,在高效率與低損耗方面。所有開關(guān)管均可實(shí)現(xiàn)ZVS,顯著降低開關(guān)損耗;通過優(yōu)化的混合調(diào)制策略,拓寬了軟開關(guān)范圍;降低回流功率和變壓器電流有效值,減少了導(dǎo)通損耗;同時(shí)使用納微BDS GaN減少開關(guān)損耗。

其次,在高質(zhì)量并網(wǎng)方面。該方案的前饋控制能夠提高功率響應(yīng)速度,加強(qiáng)對(duì)電網(wǎng)電壓的跟蹤效果;閉環(huán)Q-PR控制可無靜差跟蹤交流信號(hào),提高并網(wǎng)電流質(zhì)量。同時(shí),通過原邊副邊移相控制量之間的協(xié)同調(diào)整,實(shí)現(xiàn)模式間無擾切換,從而平滑變壓器電流及并網(wǎng)電流。

最后,在高集成度與成本優(yōu)化方面。方案采用了單個(gè)集成電感的變壓器的磁集成技術(shù),實(shí)現(xiàn)了磁性元件體積的縮小,并采用雙向BDS GaN來滿足對(duì)交流側(cè)雙向開關(guān)的需求,進(jìn)一步縮小了尺寸,降低方案的整體BOM成本。

打造豐富的產(chǎn)品矩陣

建設(shè)高質(zhì)量生態(tài)圈

在新能源控制領(lǐng)域,兆易創(chuàng)新構(gòu)建了覆蓋全場(chǎng)景的 MCU 產(chǎn)品矩陣,廣泛應(yīng)用于光伏關(guān)斷器、優(yōu)化器、AI拉弧檢測(cè)、儲(chǔ)能ESS系統(tǒng)、BMS、逆變器、HMI通訊監(jiān)控等產(chǎn)品應(yīng)用。在拉弧檢測(cè)、優(yōu)化器、Bi DC-DC、工商儲(chǔ)BMS等部分,兆易創(chuàng)新還提供了完整的方案供客戶直接使用或者二次開發(fā),能大幅減少研發(fā)周期。在功率控制方面,兆易創(chuàng)新分別有600Mhz高主頻的GD32H7系列以及216MHz的GD32G5系列MCU供客戶選擇。

本方案中采用的GD32G553屬于兆易創(chuàng)新的GD32G5系列MCU。該系列有著出色的算力,采用Arm? Cortex?-M33內(nèi)核,主頻高達(dá)216MHz,內(nèi)置單精度浮點(diǎn)單元(FPU),以及硬件三角函數(shù)加速器(TMU)和其他多種硬件加速單元。這些特性大幅提升了數(shù)據(jù)處理速度和復(fù)雜運(yùn)算能力。同時(shí),GD32G5系列MCU能支持最多16個(gè)Channel的高精度PWM輸出,分辨率高達(dá)145ps??芍С肿冋伎毡取⒆冾l、移相等發(fā)波方式。

除了算力及發(fā)波控制方面的優(yōu)勢(shì)以外,GD32G553還支持4個(gè)12位ADC模塊,采樣速率高達(dá)5.3MSPS,最多可支持高達(dá)42個(gè)采樣通道,能夠高效地采集和處理多種傳感器的信號(hào)。同時(shí),GD32G553配備了8個(gè)CMP(片上比較器),具有快速響應(yīng)及靈活配置等特點(diǎn),其輸出信號(hào)可以內(nèi)部直連至HRTIMER中,實(shí)現(xiàn)對(duì)PWM的封鎖或切換。

除了打造表現(xiàn)優(yōu)異的產(chǎn)品外,兆易創(chuàng)新還加強(qiáng)生態(tài)建設(shè)。兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體共建聯(lián)合研發(fā)實(shí)驗(yàn)室通過將兆易創(chuàng)新高算力MCU和納微半導(dǎo)體的高頻、高效GaN技術(shù)進(jìn)行整合,打造出智能、高效的數(shù)字電源產(chǎn)品,為客戶帶來更多方案選擇。同時(shí),配合兆易創(chuàng)新的全產(chǎn)業(yè)鏈的生態(tài)與納微對(duì)系統(tǒng)應(yīng)用的深刻理解,加速在AI 數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、充電樁、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的布局。

文章來源:兆易創(chuàng)新推出500W單級(jí)光伏微逆方案,助力控制精度更上層樓


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